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ボンディング
ヒートシンクに挟まれたパワー半導体SiCチップの音波接合による両面ダイボンド
Pointここがポイント
- 異種材料を重ねた[3DB&DMB]接合
- SiCチップとNiめっき銅ヒートシンク間の接合
- 音エネルギーのみで接合 接着剤や金属ペーストの加熱不要
- ヒートショックテストクリア(−50〜 600℃)
- 大気中常温接合
- 接合のエネルギー源は電気とエアーのみ
- デスクトップ接合
4個のSiCが2枚のNiめっき銅板の間に両面ダイボンドされた[SiCパッケージ]

