Applications

ボンディング

ヒートシンクに挟まれたパワー半導体SiCチップの音波接合による両面ダイボンド

Point

  • 異種材料を重ねた[3DB&DMB]接合
  • SiCチップとNiめっき銅ヒートシンク間の接合
  • 音エネルギーのみで接合 接着剤や金属ペーストの加熱不要
  • ヒートショックテストクリア(−50〜 600℃)
  • 大気中常温接合
  • 接合のエネルギー源は電気とエアーのみ
  • デスクトップ接合

4個のSiCが2枚のNiめっき銅板の間に両面ダイボンドされた[SiCパッケージ]

PRODUCT

15MZs